Chapter 7.6 SPECIAL CASE: VGSQ = 0 V

[menuju akhir]

Sub Chapter 7.6

SPECIAL CASE: VGSQ= 0 V


1.Tujuan[kembali]

    
  • Dapat mengetahui maksud dari kasus spesial dari VGSQ = 0V
  • Dapat mengetahui persamaan persamaan yang berhubungan dengan VGSQ dan kaitannya dengan Hukum Kirchiff

2. Alat dan Bahan [kembali]

A. ALAT 

   1 . Transistor JFET bertipe N-Channel. Transistor JFET adalah tipe paling sederhana dari transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar terkendali elektronik atau resistansi terkendali tegangan


    2 . Resistor. Resistor merupakan komponen Elektronika Pasif yang memiliki nilai resistansi atau hambatan tertentu yang berfungsi untuk membatasi dan mengatur arus listrik dalam suatu rangkaian Elektronika.


    3 . Ground. Ground merupakan titik yang dianggap sebagai titik kembalinya arus searah atau titik kembalinya sinyal bolak balik.


B. BAHAN

1. Transistor

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakbai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung arus (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal. Secara umum transistor dapat digolongkan menjadi dua keluarga besar yaitu Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan. Transistor yang digunakan adalah 2N4401. 


2. Kapasitor

Kapasitor di pasaran


Kapasitor adalah suatu alat yang dapat menyimpan energi di dalam medan listrik, dengan cara mengumpulkan ketidakseimbangan internal dari muatan listrik. Kapasitor mempunyai satuan Farad dari nama Michael Faraday.



3. Osiloskop


Osiloskop adalah alat ukur elektronika yang berfungsi memproyeksikan bentuk sinyal listrik. Osiloskop dilengkapi dengan tabung sinar katode. Peranti pemancar elektron memproyeksikan sorotan elektron ke layar tabung sinar katode.


4. Baterai


Baterai merupakan suatu komponen elektronika yang digunakan sebagai sumber tegangan pada rangkaian.


3.Dasar Teori [kembali]

 Jaringan dengan nilai praktis berulang karena kesederhanaan relatifnya adalah konfigurasi dari Gambar 7.28. Perhatikan bahwa koneksi langsung gerbang dan terminal sumber ke ground dihasilkan dalam VGS = 0 V. Ini menjelaskan bahwa untuk setiap kondisi DC gerbang ke tegangan sumber harus nol volt atau tidak ada nilai tegangan. Ini akan menghasilkan garis beban vertikal pada VGSQ = 0 V seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7.29.




Karena kurva transfer JFET akan melintasi sumbu vertikal pada I DSS, arus drain untuk jaringan diatur pada tingkat itu.
Maka karena itu, diperoleh rumus :

Lalu, jika kita menerapkan Hukum tegangan Kirchoff :




4.Prinsip Kerja [kembali]

A. PRINSIP 

VGSQ adalah tegangan gate-source quiescent, yaitu tegangan yang ada pada transistor MOSFET ketika tidak ada sinyal input yang diberikan.

SPECIAL CASE: VGSQ = 0V terjadi ketika tegangan antara gate dan source pada MOSFET adalah nol. Pada kondisi ini, MOSFET berada dalam keadaan mati atau off. Hal ini karena pada saat VGSQ = 0V, tegangan antara gate dan source tidak cukup besar untuk membuka channel dan memungkinkan arus mengalir dari drain ke source.

Dalam kondisi ini, tidak ada arus yang mengalir melalui transistor MOSFET dan daya yang dikonsumsi oleh MOSFET adalah nol. Oleh karena itu, MOSFET dapat digunakan sebagai saklar (switch) pada sirkuit elektronik untuk mengontrol aliran arus. Ketika tegangan VGS diberikan pada transistor MOSFET, maka transistor akan beroperasi sesuai dengan tegangan yang diberikan pada gate-source-nya.

Ketika tegangan antara gate dan source pada transistor MOSFET bernilai nol atau VGSQ = 0V, transistor berada dalam keadaan mati atau off. Pada kondisi ini, channel di antara source dan drain terputus dan tidak memungkinkan arus mengalir.

Transistor MOSFET pada dasarnya memiliki tiga terminal yaitu gate, source, dan drain. Ketika tegangan diberikan pada gate-source (VGS), maka akan terbentuk medan listrik yang mempengaruhi jumlah arus yang mengalir antara source dan drain.

Pada saat VGSQ = 0V, medan listrik yang terbentuk pada gate-source tidak cukup besar untuk membuka channel dan memungkinkan arus mengalir dari drain ke source. Oleh karena itu, tidak ada arus yang mengalir melalui transistor MOSFET pada kondisi ini.

Dalam keadaan ini, MOSFET dapat digunakan sebagai saklar atau switch pada sirkuit elektronik untuk mengontrol aliran arus. Dalam aplikasi saklar, MOSFET digunakan untuk mengalihkan arus listrik pada suatu beban dari kondisi off menjadi on.

Ketika tegangan VGS yang lebih besar diberikan pada transistor MOSFET, maka transistor akan beroperasi sesuai dengan tegangan yang diberikan pada gate-source-nya. Ketika VGS mencapai nilai ambang tertentu, channel di antara source dan drain akan terbuka dan arus dapat mengalir melalui transistor MOSFET. Dengan demikian, transistor MOSFET dapat digunakan sebagai saklar atau sebagai penguat sinyal pada sirkuit elektronik.


B. PROSEDUR KERJA :
Dalam elektronika, "VGSQ = 0 V" mengacu pada suatu kondisi khusus pada MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ketika tegangan Gate-Source (VGS) dari transistor tersebut bernilai 0 Volt (V). Ini adalah kondisi khusus yang mempengaruhi karakteristik transistor dan biasanya terjadi pada mode operasi tertentu. Berikut adalah langkah-langkah prosedur kerja untuk kasus khusus ini:

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):
MOSFET adalah jenis transistor yang memiliki tiga terminal: Gate (G), Drain (D), dan Source (S). Tegangan antara Gate dan Source (VGS) mengontrol aliran arus antara Drain dan Source.

Biasa Kontrol (Biasing):
Biasing adalah proses memberikan tegangan atau arus ke transistor untuk mendapatkan kondisi kerja yang diinginkan. Dalam kasus ini, kita ingin mencapai VGSQ = 0 V, yang berarti tegangan Gate-Source pada MOSFET adalah nol.

Pengaturan Potensial:
Untuk mencapai VGSQ = 0 V, kita harus mengatur potensial pada terminal Gate dan Source dengan benar. Untuk transistor MOSFET berjenis enhancement (peningkatan), VGSQ = 0 V biasanya diperoleh dengan cara memberikan tegangan negatif pada terminal Gate dan men-ground-kan (menghubungkan ke ground) terminal Source.

Langkah-langkah untuk mencapai VGSQ = 0 V:

1. Pertama, pastikan MOSFET yang digunakan adalah tipe enhancement (peningkatan) dan bukan depletion (penurunan). Biasanya, transistor enhancement memerlukan tegangan positif pada Gate untuk mengontrol aliran arus.

2. Kedua, terapkan tegangan negatif pada terminal Gate (G) dengan cara menghubungkan terminal Gate ke sumber tegangan negatif.

3. Ketiga, hubungkan terminal Source (S) ke ground (GND), sehingga tegangan pada terminal Source juga menjadi 0 V.

4. Keempat, periksa tegangan antara terminal Gate dan Source (VGS). Jika langkah-langkah di atas dilakukan dengan benar, maka VGSQ akan menjadi 0 V.

Catatan Penting:
Pastikan untuk selalu merujuk pada datasheet transistor yang digunakan untuk mendapatkan informasi lebih lanjut tentang tegangan yang diperlukan untuk mencapai kondisi VGSQ = 0 V. Selain itu, berhati-hatilah dalam menangani tegangan dan rangkaian elektronika untuk menghindari kerusakan atau cedera.

RANGKAIAN SIMULASI PROTEUS 
1. RANGKAIAN  7.61

VIDEO 



5.Problem [kembali]

a. 


    Perhatikan jaringan pada Gambar 7.90! Tentukanlah IDQ!

    Solusi : 

    Karena IDQ = IDSS, maka diperoleh IDQ = 4mA



b. 

 

    Perhatikan jaringan pada Gambar 7.90! Hitung VDQ dan VDSQ!

    Solusi :





c. 

    Perhatikan jaringan pada Gambar 7.90! 
    Temukan daya yang disuplai oleh sumber dan dihamburkan oleh perangkat!
    
    Solusi :
    


6.Pilihan Ganda [kembali]

1. Pengertian FET yang benar dibawah ini adalah...

    a. Junction Field Effect Transistor

    b. Junction Field Electron Transistor

    c. Junction Field Effective Transistor

    d. Junction Earning Transistor

    e. Junction Effecient Transistor

    Jawaban : a. Junction Field Effect Transistor


2. Terminal yang terdapat pada FET adalah...

    a. Source, Drain, Basis

    b. Source, Drain, Gate

    c. Source, Colector, Gate

    d. Source, Colector, Basis

    e. Source, Emitor, Gate

    Jawaban : b. Source, Drain, Gate


3. Yang merupakan cara kerja dari transistor JFET kanal N adalah...

    a. 

  

    b. 

    c. 

    d. 

    e. 

    Jawaban :  c. 

b. Field Elektron Transistor
c. Field Effective Transistor
d. Field Earning Transistor
e. Field Efficient Transistor



7.Download File [kembali]

Download Video Dan Foto Simulasi Rangkaian Proteus speciak case 

>>>>> [ klik disini ] <<<<<

Download Rangkaian Proteus 7.61 [  klik disini ]

Data Sheet Motor [klik disini]
Data Sheet resistor [klik disini]
Data Sheet Op Amp [klik disini]
Data Sheet LED [klik disini]
Data Sheet Baterai [klik disini]
Data Sheet NPN [klik disini]
Data Sheet Relay [klik disini]
Data Sheet Diode [klik disini]
Data Sheet Voltmeter [klik disini]
Datasheet transistor [ klik disini ]
Datasheet osiloskop [ klik disini ]









[menuju awal]

Komentar

Postingan populer dari blog ini

MATA KULIAH ELEKTRONIKA

PRATIKUM SISTEM DIGITAL

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA